製品詳細
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記述: IGBTトランジスタ NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
ゲート・エミッター漏れ電流:: |
300のuA |
製品カテゴリー:: |
IGBTトランジスタ |
マウントスタイル:: |
SMD/SMT |
25°Cの連続電流:: |
20 A |
Pd -電力損失:: |
125W |
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス:: |
440V |
パッケージ/ケース:: |
DPAK |
最大動作温度:: |
+ 175 C |
ゲートエミッター最大電圧:: |
15V |
パッケージ:: |
リール |
設定:: |
シングル |
コレクター・エミッター 飽和電圧:: |
1.5 V |
メーカー:: |
リテルヒューズ |
ゲート・エミッター漏れ電流:: |
300のuA |
製品カテゴリー:: |
IGBTトランジスタ |
マウントスタイル:: |
SMD/SMT |
25°Cの連続電流:: |
20 A |
Pd -電力損失:: |
125W |
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス:: |
440V |
パッケージ/ケース:: |
DPAK |
最大動作温度:: |
+ 175 C |
ゲートエミッター最大電圧:: |
15V |
パッケージ:: |
リール |
設定:: |
シングル |
コレクター・エミッター 飽和電圧:: |
1.5 V |
メーカー:: |
リテルヒューズ |
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