製品詳細
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記述: IGBTトランジスタ トレンチゲートフィールドストップ IGBT,HBシリーズ 650 V,40 A高速
ゲート・エミッター漏れ電流:: |
+/- 250 nA |
製品カテゴリー:: |
IGBTトランジスタ |
マウントスタイル:: |
穴を抜ける |
25°Cの連続電流:: |
80A |
Pd -電力損失:: |
283W |
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス:: |
650ボルト |
パッケージ/ケース:: |
TO-3P-3 |
最大動作温度:: |
+ 175 C |
ゲートエミッター最大電圧:: |
+/- 30V |
設定:: |
シングル |
コレクター・エミッター 飽和電圧:: |
1.6V |
メーカー:: |
STMマイクロ電子機器 |
ゲート・エミッター漏れ電流:: |
+/- 250 nA |
製品カテゴリー:: |
IGBTトランジスタ |
マウントスタイル:: |
穴を抜ける |
25°Cの連続電流:: |
80A |
Pd -電力損失:: |
283W |
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス:: |
650ボルト |
パッケージ/ケース:: |
TO-3P-3 |
最大動作温度:: |
+ 175 C |
ゲートエミッター最大電圧:: |
+/- 30V |
設定:: |
シングル |
コレクター・エミッター 飽和電圧:: |
1.6V |
メーカー:: |
STMマイクロ電子機器 |
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