ゲート・エミッター漏れ電流:: |
100 nA |
製品カテゴリー:: |
IGBTトランジスタ |
マウントスタイル:: |
穴を抜ける |
25°Cの連続電流:: |
80A |
Pd -電力損失:: |
429 W |
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス:: |
1350ボルト |
パッケージ/ケース:: |
TO-247-3 |
最大動作温度:: |
+ 175 C |
ゲートエミッター最大電圧:: |
20V |
パッケージ:: |
トューブ |
設定:: |
シングル |
コレクター・エミッター 飽和電圧:: |
2ボルト |
メーカー:: |
インフィニオン・テクノロジーズ |
ゲート・エミッター漏れ電流:: |
100 nA |
製品カテゴリー:: |
IGBTトランジスタ |
マウントスタイル:: |
穴を抜ける |
25°Cの連続電流:: |
80A |
Pd -電力損失:: |
429 W |
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス:: |
1350ボルト |
パッケージ/ケース:: |
TO-247-3 |
最大動作温度:: |
+ 175 C |
ゲートエミッター最大電圧:: |
20V |
パッケージ:: |
トューブ |
設定:: |
シングル |
コレクター・エミッター 飽和電圧:: |
2ボルト |
メーカー:: |
インフィニオン・テクノロジーズ |
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