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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
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STGP30H65F

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記述: IGBT トランジスタ トレンチ gte フィールドストップ IGBT 600V 30A

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仕様
ハイライト:
ゲート・エミッター漏れ電流::
250nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
60 A
Pd -電力損失::
260 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
650ボルト
パッケージ/ケース::
TO-220-3
最大動作温度::
+ 175 C
ゲートエミッター最大電圧::
+/- 20ボルト
パッケージ::
トューブ
設定::
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧::
2.4 V
メーカー::
STMマイクロ電子機器
ゲート・エミッター漏れ電流::
250nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
60 A
Pd -電力損失::
260 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
650ボルト
パッケージ/ケース::
TO-220-3
最大動作温度::
+ 175 C
ゲートエミッター最大電圧::
+/- 20ボルト
パッケージ::
トューブ
設定::
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧::
2.4 V
メーカー::
STMマイクロ電子機器
記述
STGP30H65F
STGP30H65Fは,STMmicroelectronicsから,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!

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