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NGTG15N60S1EG

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記述: IGBT トランジスタ 15A 600V IGBT

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仕様
ハイライト:
ゲート・エミッター漏れ電流::
100 nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
30 A
Pd -電力損失::
47W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
600V
パッケージ/ケース::
TO-220
パッケージ::
トューブ
ゲートエミッター最大電圧::
20V
コレクター・エミッター 飽和電圧::
1.95 V
メーカー::
一半
ゲート・エミッター漏れ電流::
100 nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
30 A
Pd -電力損失::
47W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
600V
パッケージ/ケース::
TO-220
パッケージ::
トューブ
ゲートエミッター最大電圧::
20V
コレクター・エミッター 飽和電圧::
1.95 V
メーカー::
一半
記述
NGTG15N60S1EG
NGTG15N60S1EGは,onsemiから,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格を持っています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!

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