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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
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IRG7PH50K10DPBF

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記述: IGBT トランジスタ 1200V 超高速 ディスクリーート IGBT

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仕様
ハイライト:
ゲート・エミッター漏れ電流::
100 nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
90 A
Pd -電力損失::
400W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
1200V
パッケージ/ケース::
TO-247AC-3
最大動作温度::
+150C
ゲートエミッター最大電圧::
+/- 30V
パッケージ::
トューブ
設定::
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧::
2.4 V
メーカー::
IR / インフィニオン
ゲート・エミッター漏れ電流::
100 nA
製品カテゴリー::
IGBTトランジスタ
マウントスタイル::
穴を抜ける
25°Cの連続電流::
90 A
Pd -電力損失::
400W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス::
1200V
パッケージ/ケース::
TO-247AC-3
最大動作温度::
+150C
ゲートエミッター最大電圧::
+/- 30V
パッケージ::
トューブ
設定::
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧::
2.4 V
メーカー::
IR / インフィニオン
記述
IRG7PH50K10DPBF
IR/InfineonのIRG7PH50K10DPBFは,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で, オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!

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