カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極RFトランジスタ |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
50mA |
製品の状況: |
時代遅れ |
トランジスタタイプ: |
NPN |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
頻度 - 移行: |
650MHz |
パッケージ: |
テープと箱 (TB) |
シリーズ: |
- |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
25V |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92-3 |
Mfr: |
一半 |
騒音数 (dB Typ @ f): |
- |
パワー - マックス: |
350mW |
利益: |
- |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)は鉛を形作った |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
60 @ 4mA, 10V |
基本製品番号: |
MPSH10 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極RFトランジスタ |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
50mA |
製品の状況: |
時代遅れ |
トランジスタタイプ: |
NPN |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
頻度 - 移行: |
650MHz |
パッケージ: |
テープと箱 (TB) |
シリーズ: |
- |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
25V |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92-3 |
Mfr: |
一半 |
騒音数 (dB Typ @ f): |
- |
パワー - マックス: |
350mW |
利益: |
- |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)は鉛を形作った |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
60 @ 4mA, 10V |
基本製品番号: |
MPSH10 |
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