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MPSH10_D75Z

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記述: RFトランス NPN 25V 650MHZ TO92-3

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仕様
ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 双極RFトランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
50mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
NPN
マウントタイプ:
穴を抜ける
頻度 - 移行:
650MHz
パッケージ:
テープと箱 (TB)
シリーズ:
-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
25V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-92-3
Mfr:
一半
騒音数 (dB Typ @ f):
-
パワー - マックス:
350mW
利益:
-
パッケージ/ケース:
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)は鉛を形作った
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
60 @ 4mA, 10V
基本製品番号:
MPSH10
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 双極RFトランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
50mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
NPN
マウントタイプ:
穴を抜ける
頻度 - 移行:
650MHz
パッケージ:
テープと箱 (TB)
シリーズ:
-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
25V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-92-3
Mfr:
一半
騒音数 (dB Typ @ f):
-
パワー - マックス:
350mW
利益:
-
パッケージ/ケース:
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)は鉛を形作った
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
60 @ 4mA, 10V
基本製品番号:
MPSH10
記述
MPSH10_D75Z
RFトランジスタ NPN 25V 50mA 650MHz 350mW 穴を通って TO-92-3

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