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MAX2601ESA+

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記述: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

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仕様
ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 双極RFトランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
1.2A
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
NPN
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
1GHz
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
15V
供給者のデバイスパッケージ:
8-SOIC-EP
Mfr:
アナログ・デバイスズ・インク/マキシム・インテグレート
騒音数 (dB Typ @ f):
3.3dB @ 836MHz
パワー - マックス:
6.4W
利益:
11.6dB
パッケージ/ケース:
8-SOIC (0.154 インチ、3.90mm 幅) 露出パッド
動作温度:
150°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
100 @ 250mA 3V
基本製品番号:
MAX2601
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 双極RFトランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
1.2A
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
NPN
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
1GHz
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
15V
供給者のデバイスパッケージ:
8-SOIC-EP
Mfr:
アナログ・デバイスズ・インク/マキシム・インテグレート
騒音数 (dB Typ @ f):
3.3dB @ 836MHz
パワー - マックス:
6.4W
利益:
11.6dB
パッケージ/ケース:
8-SOIC (0.154 インチ、3.90mm 幅) 露出パッド
動作温度:
150°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
100 @ 250mA 3V
基本製品番号:
MAX2601
記述
MAX2601ESA+
RFトランジスタ NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W 表面マウント 8-SOIC-EP

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