製品詳細
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記述: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極RFトランジスタ |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
200mA |
製品の状況: |
時代遅れ |
トランジスタタイプ: |
NPN |
マウントタイプ: |
表面マウント |
頻度 - 移行: |
870MHz |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
16V |
供給者のデバイスパッケージ: |
8-SO |
Mfr: |
マイクロセミ株式会社 |
騒音数 (dB Typ @ f): |
- |
パワー - マックス: |
2.2W |
利益: |
8dB ~ 9.5dB |
パッケージ/ケース: |
8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
動作温度: |
- |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
30 @ 50mA 5V |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極RFトランジスタ |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
200mA |
製品の状況: |
時代遅れ |
トランジスタタイプ: |
NPN |
マウントタイプ: |
表面マウント |
頻度 - 移行: |
870MHz |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
16V |
供給者のデバイスパッケージ: |
8-SO |
Mfr: |
マイクロセミ株式会社 |
騒音数 (dB Typ @ f): |
- |
パワー - マックス: |
2.2W |
利益: |
8dB ~ 9.5dB |
パッケージ/ケース: |
8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
動作温度: |
- |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
30 @ 50mA 5V |
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