カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極RFトランジスタ |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
100mA |
製品の状況: |
時代遅れ |
トランジスタタイプ: |
NPN |
マウントタイプ: |
表面マウント |
頻度 - 移行: |
6.5GHz |
パッケージ: |
ストライプ |
シリーズ: |
- |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
12V |
供給者のデバイスパッケージ: |
- |
Mfr: |
CEL |
騒音数 (dB Typ @ f): |
1.8dB @ 1GHz |
パワー - マックス: |
1.2w |
利益: |
12dB |
パッケージ/ケース: |
TO-243AA |
動作温度: |
150°C (TJ) |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
50 @ 20mA 10V |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極RFトランジスタ |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
100mA |
製品の状況: |
時代遅れ |
トランジスタタイプ: |
NPN |
マウントタイプ: |
表面マウント |
頻度 - 移行: |
6.5GHz |
パッケージ: |
ストライプ |
シリーズ: |
- |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
12V |
供給者のデバイスパッケージ: |
- |
Mfr: |
CEL |
騒音数 (dB Typ @ f): |
1.8dB @ 1GHz |
パワー - マックス: |
1.2w |
利益: |
12dB |
パッケージ/ケース: |
TO-243AA |
動作温度: |
150°C (TJ) |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
50 @ 20mA 10V |
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