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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
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DF80R12W2H3FB11BPSA1

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記述: IGBT MOD 1200V 20A 20MW

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仕様
ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
20 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
エコノパックTM 2
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
1.7V @ 15V, 20A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1mA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
20mW
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
2.35 nF @ 25V
構成:
ハーフブリッジ
NTC サーミストール:
そうだ
基本製品番号:
DF80R12
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
20 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
エコノパックTM 2
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
1.7V @ 15V, 20A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1mA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
20mW
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
2.35 nF @ 25V
構成:
ハーフブリッジ
NTC サーミストール:
そうだ
基本製品番号:
DF80R12
記述
DF80R12W2H3FB11BPSA1
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ ハーフブリッジ 1200 V 20 A 20 mW シャーシマウントモジュール

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