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FF1000R17IE4BOSA1

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記述: IGBTモジュール 1700V 6250W

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仕様
ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
電流 - コレクターの切断値 (最大):
5 mA
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
プライムパックTM3
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.45V @ 15V, 1000A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1700V
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40°C ~ 150°C
パワー - マックス:
6250W
IGBTタイプ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
81 nF @ 25 V
構成:
2 独立
NTC サーミストール:
そうだ
基本製品番号:
FF1000
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
電流 - コレクターの切断値 (最大):
5 mA
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
プライムパックTM3
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.45V @ 15V, 1000A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1700V
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40°C ~ 150°C
パワー - マックス:
6250W
IGBTタイプ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
81 nF @ 25 V
構成:
2 独立
NTC サーミストール:
そうだ
基本製品番号:
FF1000
記述
FF1000R17IE4BOSA1
IGBT モジュール 2 独立 1700 V 6250 W シャシーマウントモジュール

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