カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
5 mA |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
プライムパックTM3 |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.45V @ 15V, 1000A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1700V |
供給者のデバイスパッケージ: |
モジュール |
Mfr: |
インフィニオン・テクノロジーズ |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C |
パワー - マックス: |
6250W |
IGBTタイプ: |
- |
パッケージ/ケース: |
モジュール |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
81 nF @ 25 V |
構成: |
2 独立 |
NTC サーミストール: |
そうだ |
基本製品番号: |
FF1000 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
5 mA |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
プライムパックTM3 |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.45V @ 15V, 1000A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1700V |
供給者のデバイスパッケージ: |
モジュール |
Mfr: |
インフィニオン・テクノロジーズ |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C |
パワー - マックス: |
6250W |
IGBTタイプ: |
- |
パッケージ/ケース: |
モジュール |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
81 nF @ 25 V |
構成: |
2 独立 |
NTC サーミストール: |
そうだ |
基本製品番号: |
FF1000 |
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