カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
90 A |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
パッケージ/ケース: |
SOT-227-4 ミニブロック |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.5V @ 15V, 50A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
600V |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-227B |
Mfr: |
IXYS |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
750 µA |
IGBTタイプ: |
PT |
パワー - マックス: |
250W |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
4.5 nF @ 25V |
構成: |
シングル |
NTC サーミストール: |
はい |
基本製品番号: |
IXSN62 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
90 A |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
パッケージ/ケース: |
SOT-227-4 ミニブロック |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.5V @ 15V, 50A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
600V |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-227B |
Mfr: |
IXYS |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
750 µA |
IGBTタイプ: |
PT |
パワー - マックス: |
250W |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
4.5 nF @ 25V |
構成: |
シングル |
NTC サーミストール: |
はい |
基本製品番号: |
IXSN62 |
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