カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
105 A |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
パッケージ/ケース: |
S-3 モジュール |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
1.8V @ 15V,75A (タイプ) |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
S3 |
Mfr: |
リトルファウス株式会社 |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
500 µA |
IGBTタイプ: |
- |
パワー - マックス: |
630W |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
5.52 nF @ 25V |
構成: |
ハーフブリッジ |
NTC サーミストール: |
はい |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
105 A |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
パッケージ/ケース: |
S-3 モジュール |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
1.8V @ 15V,75A (タイプ) |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
S3 |
Mfr: |
リトルファウス株式会社 |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
500 µA |
IGBTタイプ: |
- |
パワー - マックス: |
630W |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
5.52 nF @ 25V |
構成: |
ハーフブリッジ |
NTC サーミストール: |
はい |
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