製品詳細
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記述: IGBT モジュール 1200V 335A
カテゴリー: |
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
335A |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.1V @ 15V,200A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
モジュール |
Mfr: |
SemiQ |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
1mA |
IGBTタイプ: |
- |
パッケージ/ケース: |
モジュール |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
22.4 nF @ 25V |
構成: |
3相インバーター |
NTC サーミストール: |
そうだ |
基本製品番号: |
GSID200 |
カテゴリー: |
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
335A |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.1V @ 15V,200A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
モジュール |
Mfr: |
SemiQ |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
1mA |
IGBTタイプ: |
- |
パッケージ/ケース: |
モジュール |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
22.4 nF @ 25V |
構成: |
3相インバーター |
NTC サーミストール: |
そうだ |
基本製品番号: |
GSID200 |
IGBT モジュール 三相インバーター 1200 V 335 A シャーシマウントモジュール
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