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記述: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
カテゴリー: |
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
139 A |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
HEXFRED® |
パッケージ/ケース: |
SOT-227-4 ミニブロック |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.55V @ 15V,80A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-227 |
Mfr: |
Vishay大将半導体-ダイオード部 |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
100 μA |
IGBTタイプ: |
堀 |
パワー - マックス: |
658W |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
4.4 nF @ 25V |
構成: |
シングル |
NTC サーミストール: |
はい |
基本製品番号: |
GT80 |
カテゴリー: |
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
139 A |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
HEXFRED® |
パッケージ/ケース: |
SOT-227-4 ミニブロック |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.55V @ 15V,80A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-227 |
Mfr: |
Vishay大将半導体-ダイオード部 |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
100 μA |
IGBTタイプ: |
堀 |
パワー - マックス: |
658W |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
4.4 nF @ 25V |
構成: |
シングル |
NTC サーミストール: |
はい |
基本製品番号: |
GT80 |
IGBT モジュール トレンチ シングル 1200 V 139 A 658 W シャーシマウント SOT-227
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