製品詳細
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記述: トランジスタ - IGBT - モジュールE2
カテゴリー: |
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
75 A |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
パッケージ/ケース: |
モジュール |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.25V @ 15V,50A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
- |
Mfr: |
ヤンジ・テクノロジー |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
1mA |
IGBTタイプ: |
- |
パワー - マックス: |
442W |
インプット: |
三相橋整流器 |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
2.6 nF @ 25V |
構成: |
ブレーキが付いている三相インバーター |
NTC サーミストール: |
そうだ |
カテゴリー: |
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
75 A |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
パッケージ/ケース: |
モジュール |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2.25V @ 15V,50A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
- |
Mfr: |
ヤンジ・テクノロジー |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
1mA |
IGBTタイプ: |
- |
パワー - マックス: |
442W |
インプット: |
三相橋整流器 |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
2.6 nF @ 25V |
構成: |
ブレーキが付いている三相インバーター |
NTC サーミストール: |
そうだ |
IGBT モジュール 3 段階インバーター ブレーキ付き 1200 V 75 A 442 W シャーシマウント
