カテゴリー: |
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
300A |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
Amp+TM |
パッケージ/ケース: |
D-3 モジュール |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2V @ 15V, 150A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
D3 |
Mfr: |
SemiQ |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
1mA |
IGBTタイプ: |
- |
パワー - マックス: |
940W |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
14 nF @ 25 V |
構成: |
2 独立 |
NTC サーミストール: |
はい |
基本製品番号: |
GSID150 |
カテゴリー: |
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
300A |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
Amp+TM |
パッケージ/ケース: |
D-3 モジュール |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
2V @ 15V, 150A |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
1200V |
供給者のデバイスパッケージ: |
D3 |
Mfr: |
SemiQ |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
1mA |
IGBTタイプ: |
- |
パワー - マックス: |
940W |
インプット: |
スタンダード |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
14 nF @ 25 V |
構成: |
2 独立 |
NTC サーミストール: |
はい |
基本製品番号: |
GSID150 |
IGBT モジュール 2 独立 1200 V 300 A 940 W シャーシマウント D3
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