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GSID150A120S3B1 離散半導体製品 d3 電子部品

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記述: IGBT モジュール 1200V 300A 940W D3

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GSID150A120S3B1

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分離した半導体製品

,

d3 電子部品

カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
300A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
Amp+TM
パッケージ/ケース:
D-3 モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2V @ 15V, 150A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
D3
Mfr:
SemiQ
動作温度:
-40°C ~ 150°C
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1mA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
940W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
構成:
2 独立
NTC サーミストール:
はい
基本製品番号:
GSID150
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
300A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
Amp+TM
パッケージ/ケース:
D-3 モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2V @ 15V, 150A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
D3
Mfr:
SemiQ
動作温度:
-40°C ~ 150°C
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1mA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
940W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
構成:
2 独立
NTC サーミストール:
はい
基本製品番号:
GSID150
記述
GSID150A120S3B1 離散半導体製品 d3 電子部品

IGBT モジュール 2 独立 1200 V 300 A 940 W シャーシマウント D3

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